STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGB30H60DFB — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: STGB30H60DFB
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; D2PAK
Ток коллектора: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STGB30H60DFB. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 260Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 149нC.
Перед заказом проверьте артикул STGB30H60DFB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGB30H60DFB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
