STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STGB10NB37LZT4 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: STGB10NB37LZT4
Транзистор: IGBT; 440В; 20А; 125Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD
Ток коллектора: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
STMicroelectronics STGB10NB37LZT4. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 440В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 20 А; Ток коллектора в импульсе — 40А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 125Вт.
Версия — ESD; Характеристики полупроводниковых элементов — internally clamped; logic level; Заряд затвора — 28нC.
Перед заказом проверьте артикул STGB10NB37LZT4, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGB10NB37LZT4
Материалы
Документация
STM STGB10NB37LZT4EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
