STMicroelectronics
· Интегральные микросхемы
STMicroelectronics STGAP2DM — Драйверы MOSFET/IGBT
MPN / артикул: STGAP2DM
IC: driver; полумост MOSFET; контроллер затвора; SO16; -4÷4А; Ch: 2
Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Выходное напряжение: 1700 В · Корпус: SO16 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT
О модели
Описание
STMicroelectronics STGAP2DM. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO16; Напряжение питания — 3,1...5,5В.
Выходное напряжение — 1700 В; Выходной ток — -4...4А; Тип микросхемы — driver; Количество каналов — 2.
Характеристики интегральных схем — гальваническая развязка; Вид микросхемы — контроллер затвора; Топология — полумост MOSFET.
Перед заказом проверьте артикул STGAP2DM, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Количество каналов
- 2
- Тип микросхемы
- driver
- Монтаж
- SMD
- Выходное напряжение
- 1700 В
- Корпус
- SO16
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STGAP2DM
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
