STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB35N60DM2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB35N60DM2
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 28 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB35N60DM2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 28 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 600В; Рассеиваемая мощность — 210Вт; Заряд затвора — 54нC; Технология — MDmesh™ DM2.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул STB35N60DM2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 28 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB35N60DM2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
