STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB34NM60ND — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB34NM60ND
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 29 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB34NM60ND — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 29 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 600В; Рассеиваемая мощность — 190Вт; Заряд затвора — 80,4нC; Технология — FDmesh™ II.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Перед заказом проверьте артикул STB34NM60ND, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 29 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB34NM60ND
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
