STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB26NM60N — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB26NM60N
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 140Вт; D2PAK
Ток стока: 12,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB26NM60N — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,165Ом; Рассеиваемая мощность — 140Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 80А.
Перед заказом проверьте артикул STB26NM60N, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB26NM60N
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
