STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB18NM80 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB18NM80
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 190Вт; D2PAK,TO263
Ток стока: 17 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB18NM80 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 17 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,295Ом; Рассеиваемая мощность — 190Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 70нC; Технология — MDmesh™; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул STB18NM80, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 17 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB18NM80
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
