STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB18NM60ND — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB18NM60ND
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; D2PAK
Ток стока: 8,19 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB18NM60ND — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8,19 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,29Ом; Рассеиваемая мощность — 130Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В; Ток стока в импульсном режиме — 52А.
Перед заказом проверьте артикул STB18NM60ND, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8,19 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB18NM60ND
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
