STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB11N65M5 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB11N65M5
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Ток стока: 5,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB11N65M5 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,48Ом; Рассеиваемая мощность — 85Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 17нC; Технология — MDmesh™ M5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±25В.
Ток стока в импульсном режиме — 36А.
Перед заказом проверьте артикул STB11N65M5, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB11N65M5
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
