STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics STB100N10F7 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: STB100N10F7
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 70А; Idm: 320А
Ток стока: 70 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics STB100N10F7 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 70 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 8мОм; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 61нC; Технология — STripFET™ F7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 320А.
Перед заказом проверьте артикул STB100N10F7, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 70 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- STB100N10F7
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
