STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics SCT30N120 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: SCT30N120
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Ток стока: 34 А · Монтаж: THT · Корпус: HIP247TM · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
STMicroelectronics SCT30N120 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 34 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — HIP247™.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,1Ом; Рассеиваемая мощность — 270Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 105нC; Технология — SiC; SiCFET; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -10...25В.
Ток стока в импульсном режиме — 90А.
Перед заказом проверьте артикул SCT30N120, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 34 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- HIP247TM
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SCT30N120
Материалы
Документация
Техническое описание: SCT30N120EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
