STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics MJD112T4 — Транзисторы Дарлингтона NPN SMD
MPN / артикул: MJD112T4
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 2А; 20Вт; DPAK
Ток коллектора: 2 А · Частота: 25000000 Гц · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы Дарлингтона NPN SMD
О модели
Описание
STMicroelectronics MJD112T4. Категория: «Транзисторы Дарлингтона NPN SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; Частота — 25 МГц; Напряжение коллектор-эмиттер — 100В.
Ток коллектора — 2 А; Тип транзистора — NPN; Рассеиваемая мощность — 20Вт; Полярность — биполярный.
Вид транзистора — Дарлингтон.
Перед заказом проверьте артикул MJD112T4, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 2 А
- Частота
- 25000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- MJD112T4
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
