STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics IRF630 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IRF630
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; полевой; 200В; 5,7А; 75Вт
Ток стока: 5,7 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
STMicroelectronics IRF630 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,7 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,4Ом; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — MESH OVERLAY™ II; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IRF630, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,7 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IRF630
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
