STMicroelectronics
· Полупроводники
STMicroelectronics A1P35S12M3 — Модули IGBT
MPN / артикул: A1P35S12M3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А
Ток коллектора: 35 А · Корпус: ACEPACKTM1 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
STMicroelectronics A1P35S12M3. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — ACEPACK™1; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 35 А; Ток коллектора в импульсе — 70А; Рассеиваемая мощность — 250Вт; Электрический монтаж — Press-in PCB.
Механический монтаж — винтами; Топология — полумост IGBT x3; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул A1P35S12M3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 35 А
- Корпус
- ACEPACKTM1
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- A1P35S12M3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
