STARPOWER SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: DG10X12T2
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Ток коллектора: 10 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 30А; Время включения — 37нс; Время выключения — 493нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 96Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 80нC.
Перед заказом проверьте артикул DG10X12T2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- DG10X12T2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
