SMC DIODE SOLUTIONS
· Полупроводники
SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120T — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: S2M0120120T
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт; TOLL
Ток стока: 15 А · Монтаж: SMD · Корпус: TOLL · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 15 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TOLL.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 212мОм; Рассеиваемая мощность — 156Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — вывод Кельвина; Заряд затвора — 29,6нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -5...20В; Ток стока в импульсном режиме — 66А.
Перед заказом проверьте артикул S2M0120120T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 15 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TOLL
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- S2M0120120T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
