SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12V 22892013 — Модули IGBT
MPN / артикул: SKM75GB12V 22892013
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Ток коллектора: 75 А · Корпус: SEMITRANS2 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12V 22892013. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMITRANS2; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 225А; Электрический монтаж — винтами; коннекторы FASTON; Механический монтаж — винтами.
Версия — D61; Топология — полумост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SKM75GB12V 22892013, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Корпус
- SEMITRANS2
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SKM75GB12V 22892013
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
