SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SKM50GD125D 21918010 — Модули IGBT
MPN / артикул: SKM50GD125D 21918010
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А
Ток коллектора: 50 А · Корпус: SEMITRANS6 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SKM50GD125D 21918010. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMITRANS6; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 100А; Электрический монтаж — коннекторы FASTON; Механический монтаж — винтами.
Версия — D67; Топология — 3-фазный мост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SKM50GD125D 21918010, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Корпус
- SEMITRANS6
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SKM50GD125D 21918010
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
