SEMIKRON DANFOSS · Полупроводники

SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12V 22892003 — Модули IGBT

MPN / артикул: SKM50GB12V 22892003

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

Производитель автоматикиSEMIKRON DANFOSS
АртикулSKM50GB12V 22892003
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 50 А · Корпус: SEMITRANS2 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT

Фото товара

SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12V 22892003 — Модули IGBT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

SEMIKRON DANFOSS SKM50GB12V 22892003. Категория: «Модули IGBT».

Корпус — SEMITRANS2; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 150А; Электрический монтаж — винтами; коннекторы FASTON; Механический монтаж — винтами.

Топология — полумост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.

Перед заказом проверьте артикул SKM50GB12V 22892003, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
50 А
Корпус
SEMITRANS2
Максимальное обратное напряжение
1200 В
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SKM50GB12V 22892003
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.