SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4G 22892030 — Модули IGBT
MPN / артикул: SKM100GB12T4G 22892030
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Ток коллектора: 118 А · Корпус: SEMITRANS3 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SKM100GB12T4G 22892030. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMITRANS3; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 118 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Электрический монтаж — винтами; коннекторы FASTON; Механический монтаж — винтами.
Топология — полумост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SKM100GB12T4G 22892030, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 118 А
- Корпус
- SEMITRANS3
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SKM100GB12T4G 22892030
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
