SEMIKRON DANFOSS
· Полупроводники
SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S 27890190 — Модули IGBT
MPN / артикул: SEMIX71GD12E4S 27890190
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
Ток коллектора: 75 А · Корпус: SEMIX®13 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S 27890190. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SEMIX®13; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 225А; Электрический монтаж — Press-Fit; винтами; Механический монтаж — винтами.
Топология — 3-фазный мост IGBT; термистор; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул SEMIX71GD12E4S 27890190, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Корпус
- SEMIX®13
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SEMIX71GD12E4S 27890190
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
