ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RS3G160ATTB1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RS3G160ATTB1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RS3G160ATTB1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -16А.
Сопротивление в открытом состоянии — 7,6мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,12мкC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -64А.
Перед заказом проверьте артикул RS3G160ATTB1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RS3G160ATTB1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
