ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RRS100P03HZGTB — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RRS100P03HZGTB
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RRS100P03HZGTB. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -10А.
Сопротивление в открытом состоянии — 12,6мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 39нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -40А.
Перед заказом проверьте артикул RRS100P03HZGTB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RRS100P03HZGTB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
