ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RJ1G12BGNTLL — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: RJ1G12BGNTLL
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RJ1G12BGNTLL — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,08мОм; Рассеиваемая мощность — 178Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 165нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 240А.
Перед заказом проверьте артикул RJ1G12BGNTLL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RJ1G12BGNTLL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
