ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RF4E100AJTCR — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: RF4E100AJTCR
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Ток стока: 10 А · Монтаж: SMD · Корпус: DFN2020-8S · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RF4E100AJTCR — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN2020-8S.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 12,4мОм; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 13нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В; Ток стока в импульсном режиме — 36А.
Перед заказом проверьте артикул RF4E100AJTCR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN2020-8S
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RF4E100AJTCR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
