ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3N03BATTL1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RD3N03BATTL1
Транзистор: P-MOSFET; -80В; -30А; 54Вт; TO252
Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3N03BATTL1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252; Напряжение сток-исток — -80В; Ток стока — -30А.
Сопротивление в открытом состоянии — 64мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 54Вт; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул RD3N03BATTL1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3N03BATTL1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
