ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3L08BGNTL — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: RD3L08BGNTL
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; Idm: 160А; 119Вт
Ток стока: 80 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3L08BGNTL — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 80 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 8,1мОм; Рассеиваемая мощность — 119Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 71нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 160А.
Перед заказом проверьте артикул RD3L08BGNTL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 80 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3L08BGNTL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
