ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G07BATTL1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RD3G07BATTL1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G07BATTL1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -70А.
Сопротивление в открытом состоянии — 8,7мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 101Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 105нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -140А.
Перед заказом проверьте артикул RD3G07BATTL1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3G07BATTL1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
