ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G06BBJHRBTL — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RD3G06BBJHRBTL
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -68А; 77Вт; TO252
Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G06BBJHRBTL. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -68А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 77Вт; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -20...5В.
Перед заказом проверьте артикул RD3G06BBJHRBTL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3G06BBJHRBTL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
