ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G03BATTL1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RD3G03BATTL1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3G03BATTL1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -35А.
Сопротивление в открытом состоянии — 24мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 56Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 38нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -70А.
Перед заказом проверьте артикул RD3G03BATTL1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3G03BATTL1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
