ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR RD3E08BBJHRBTL — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: RD3E08BBJHRBTL
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -80А; 142Вт; DPAK,TO252
Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR RD3E08BBJHRBTL. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -80А.
Сопротивление в открытом состоянии — 3,7мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 142Вт; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — -20...5В.
Перед заказом проверьте артикул RD3E08BBJHRBTL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RD3E08BBJHRBTL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
