ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR R8006KND3TL1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: R8006KND3TL1
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 6А; 83Вт; DPAK,TO252; ESD
Ток стока: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR R8006KND3TL1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,9Ом; Рассеиваемая мощность — 83Вт; Версия — ESD.
Заряд затвора — 22нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул R8006KND3TL1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- R8006KND3TL1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
