ROHM SEMICONDUCTOR
· Интегральные микросхемы
ROHM SEMICONDUCTOR BR25H040FVM-2CTR — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: BR25H040FVM-2CTR
IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; MSOP8; последовательный
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: SPI · Монтаж: SMD · Корпус: MSOP8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR BR25H040FVM-2CTR. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — MSOP8; Тип микросхемы — память EEPROM.
Интерфейс — SPI; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 512x8бит; Виды интерфейса — последовательный.
Перед заказом проверьте артикул BR25H040FVM-2CTR, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- SPI
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- MSOP8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BR25H040FVM-2CTR
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
