ROHM SEMICONDUCTOR
· Интегральные микросхемы
ROHM SEMICONDUCTOR BR25G1MF-3GE2 — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: BR25G1MF-3GE2
IC: память EEPROM; 1МбEEPROM; SPI; 128Кx8бит; 10МГц; SOP8
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: SPI · Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR BR25G1MF-3GE2. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — SOP8; Напряжение питания — 1,8...5,5В DC.
Тип микросхемы — память EEPROM; Интерфейс — SPI; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 128Кx8бит.
Время доступа — 5мс; Тактовая частота — 10МГц; Виды интерфейса — последовательный; Память — 1Мб EEPROM.
Перед заказом проверьте артикул BR25G1MF-3GE2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- SPI
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BR25G1MF-3GE2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
