ROHM SEMICONDUCTOR
· Интегральные микросхемы
ROHM SEMICONDUCTOR BR25G128F-3GE2 — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: BR25G128F-3GE2
IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; SOP8; последовательный
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: SPI · Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR BR25G128F-3GE2. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — SOP8; Тип микросхемы — память EEPROM.
Интерфейс — SPI; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 16Кx8бит; Виды интерфейса — последовательный.
Перед заказом проверьте артикул BR25G128F-3GE2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- SPI
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BR25G128F-3GE2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
