ROHM SEMICONDUCTOR
· Интегральные микросхемы
ROHM SEMICONDUCTOR BR24L08F-WE2 — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: BR24L08F-WE2
IC: память EEPROM; 8кбEEPROM; 2-wire,I2C; 1Кx8бит; 400кГц; SO8
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: I2C · Интерфейс: 2-wire · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR BR24L08F-WE2. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 1,8...5,5В DC.
Тип микросхемы — память EEPROM; Интерфейс — 2-wire; I2C; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 1Кx8бит.
Время доступа — 5мс; Тактовая частота — 400кГц; Виды интерфейса — последовательный; Память — 8кб EEPROM.
Перед заказом проверьте артикул BR24L08F-WE2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- 2-wire, I2C
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BR24L08F-WE2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
