ROHM SEMICONDUCTOR
· Интегральные микросхемы
ROHM SEMICONDUCTOR BR24G1MFJ-5AE2 — Памяти EEPROM последовательные
MPN / артикул: BR24G1MFJ-5AE2
IC: память EEPROM; 1МбEEPROM; 2-wire,I2C; 128Кx8бит; 1МГц; SOP8
Тип микросхемы: память EEPROM · Интерфейс: I2C · Интерфейс: 2-wire · Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип товара: Памяти EEPROM последовательные
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR BR24G1MFJ-5AE2. Категория: «Памяти EEPROM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — SOP8; Напряжение питания — 1,7...5,5В DC.
Тип микросхемы — память EEPROM; Интерфейс — 2-wire; I2C; Вид памяти — EEPROM; Структура памяти — 128Кx8бит.
Время доступа — 3,5мс; Тактовая частота — 1МГц; Виды интерфейса — последовательный; Память — 1Мб EEPROM.
Перед заказом проверьте артикул BR24G1MFJ-5AE2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память EEPROM
- Интерфейс
- 2-wire, I2C
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BR24G1MFJ-5AE2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
