ROHM SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
ROHM SEMICONDUCTOR AG511EGH7FRATCB — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: AG511EGH7FRATCB
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Монтаж: SMD · Корпус: DFN8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
ROHM SEMICONDUCTOR AG511EGH7FRATCB. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN8; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -40А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 62Вт; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -20...5В.
Перед заказом проверьте артикул AG511EGH7FRATCB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AG511EGH7FRATCB
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
