RENESAS · Интегральные микросхемы

RENESAS HIP2100IBZ — Драйверы MOSFET/IGBT

MPN / артикул: HIP2100IBZ

IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -2÷2А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В

Производитель автоматикиRENESAS
АртикулHIP2100IBZ
РазделИнтегральные микросхемы
Единицашт

Количество каналов: 2 · Тип микросхемы: driver · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Драйверы MOSFET/IGBT

Фото товара

RENESAS HIP2100IBZ — Драйверы MOSFET/IGBT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

RENESAS HIP2100IBZ. Категория: «Драйверы MOSFET/IGBT».

Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...125°C; Корпус — SO8; Напряжение питания — 9...14В DC.

Выходной ток — -2...2А; Тип микросхемы — driver; Количество каналов — 2; Вид выхода — неинвертирующий.

Вид микросхемы — high-/low-side; контроллер затвора MOSFET; Топология — полумост MOSFET; Класс напряжения — 100В.

Перед заказом проверьте артикул HIP2100IBZ, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Количество каналов
2
Тип микросхемы
driver
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Единица продажи
шт
Артикул производителя
HIP2100IBZ
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.