PanJit Semiconductor
· Полупроводники
PanJit Semiconductor PJT7600_R1_00001 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: PJT7600_R1_00001
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
PanJit Semiconductor PJT7600_R1_00001. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT363; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 1А/-700мА.
Сопротивление в открытом состоянии — 400/600мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,35Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,6/2,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул PJT7600_R1_00001, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT363
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PJT7600_R1_00001
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
