PanJit Semiconductor
· Полупроводники
PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: PJMD580N60E1_L2_00001
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 24А; 54Вт; TO252AA
Ток стока: 8 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252AA · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
PanJit Semiconductor PJMD580N60E1_L2_00001 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252AA.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,58Ом; Рассеиваемая мощность — 54Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 24А.
Перед заказом проверьте артикул PJMD580N60E1_L2_00001, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252AA
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PJMD580N60E1_L2_00001
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
