PanJit Semiconductor
· Полупроводники
PanJit Semiconductor PJD35P03_L2_00001 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: PJD35P03_L2_00001
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт; TO252AA
Монтаж: SMD · Корпус: TO252AA · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
PanJit Semiconductor PJD35P03_L2_00001. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252AA; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -35А.
Сопротивление в открытом состоянии — 30мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 35Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 11нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -140А.
Перед заказом проверьте артикул PJD35P03_L2_00001, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252AA
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- PJD35P03_L2_00001
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
