О модели
Описание
onsemi RFD12N06RLESM9A — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 75мОм; Рассеиваемая мощность — 49Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 15нC; Технология — UltraFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул RFD12N06RLESM9A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- RFD12N06RLESM9A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
