onsemi · Полупроводники

onsemi NVTR01P02LT1G — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: NVTR01P02LT1G

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 400мВт; SOT23

Производитель автоматикиonsemi
АртикулNVTR01P02LT1G
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

onsemi NVTR01P02LT1G — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

onsemi NVTR01P02LT1G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -1,3А.

Сопротивление в открытом состоянии — 0,22Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,4Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 3,1нC; Технология — PowerTrench®; Вид канала — обогащенный.

Перед заказом проверьте артикул NVTR01P02LT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
NVTR01P02LT1G
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.