О модели
Описание
onsemi NVMS5P02R2G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -5,4А.
Сопротивление в открытом состоянии — 33мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,47Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В; Ток стока в импульсном режиме — -20А.
Перед заказом проверьте артикул NVMS5P02R2G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVMS5P02R2G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
