О модели
Описание
onsemi NVMFS5113PLT1G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN5x6; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -45А.
Сопротивление в открытом состоянии — 14мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Полярность — полевой.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул NVMFS5113PLT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN5x6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVMFS5113PLT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
