О модели
Описание
onsemi NVJS4151PT1G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC88; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -4,1А.
Сопротивление в открытом состоянии — 67мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 10нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В; Ток стока в импульсном режиме — -13А.
Перед заказом проверьте артикул NVJS4151PT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC88
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVJS4151PT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
