onsemi
· Полупроводники
onsemi NVJD4158CT1G — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: NVJD4158CT1G
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-20В
Монтаж: SMD · Корпус: SC88 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi NVJD4158CT1G. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC88; Напряжение сток-исток — 30/-20В; Ток стока — 250/-880мА.
Сопротивление в открытом состоянии — 1Ом/215мОм; Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,27Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 900пC/2,2нC; Вид транзистора — дополнительная пара; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20/±12В.
Перед заказом проверьте артикул NVJD4158CT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC88
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVJD4158CT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
