onsemi
· Полупроводники
onsemi NVJD4152PT1G — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: NVJD4152PT1G
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -880мА; 141мВт; SC88; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: SC88 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
onsemi NVJD4152PT1G. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC88; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -880мА.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,26Ом; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 141мВт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 2,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул NVJD4152PT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC88
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVJD4152PT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
