О модели
Описание
onsemi NVGS5120PT1G. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP6; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -2,9А.
Сопротивление в открытом состоянии — 111мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 18,1нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -20А.
Перед заказом проверьте артикул NVGS5120PT1G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- NVGS5120PT1G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
